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      國際領先的射頻及功率器件企業

      蘇州華太電子技術股份有限公司(簡稱:華太),成立于2010年3月16日,是集半導體器件與工藝開發、芯片設計、芯片封裝、材料研發和制造為一體的高新科技企業,以射頻芯片和功率芯片業務為主航道,是國際領先的射頻功放器件和功率半導體器件供應商,聚焦萬物互聯和數字能源兩大應用領域。

      • 以射頻芯片和功率芯片業務為主航道

      • 國際領先的射頻功放器件和功率半導體器件供應商

      • 聚焦萬物互聯和數字能源兩大應用領域

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      • 800+

        員工人數

      • 250+

        研發人員

      • 50%+

        碩博比例

      • 300+

        專利技術

      華太的價值觀

      • 卓越

        卓越是華太人的發展根基

      • 奮斗

        奮斗是華太人的立足之本

      • 開放

        開放是華太人的處世姿態

      • 分享

        分享是華太人的精神底色

      發展歷程

      20
      • 22
      • 21
      • 20
      • 19
      • 18
      • 17
      • 15
      • 14
      • 10
      • 2022

      • 2021

      • 2020

      • 2019

      • 2018

      • 2017

      • 2015

      • 2014

      • 2010

      • 2022
        • 跨越發展

        • 瑤華封測ACS射頻大功率產品量產100萬顆

        • Super IGBT、SiC MOSFET單管、工業級IGBT/SiC模塊實現量產

        • Power IC第一顆芯片實現量產

        • 截止2022年8月,LDMOS芯 片出貨量超過1.5億顆

      • 2021
        • 持續創新

        • 成立北京分公司和深圳分公司

        • LDMOS芯片出貨量突破1億顆

        • 1200V FS IGBT實現量產

        • 650V和1200V SiC SBD實現量產

      • 2020
        • 合并擴產

        • 合并佛山華智新材料有限公司

        • 成立長沙瑤華封測廠

        • 成立SoC芯片研發中心

        • 推出國內首創用于小基站的RF LDMOS MMIC芯片

      • 2019
        • 追求卓越

        • 成立上海研發中心

        • 基站類RF LDMOS產品累計出貨量超過1000萬顆

        • 量產國內首個用于移動通信 Massive MIMO宏基站的RF LDMOS射頻功率芯片套片方案

      • 2018
        • LDMOS大規模量產

        • 通過ISO9001:2005認證

        • RF LDMOS年出貨量超過2000萬顆

      • 2017
        • 研發突破

        • 量產國內首創4G LTE基站的射頻功率芯片

        • 榮獲國家級高新技術企業資質

      • 2015
        • 研發轉量產

        • 量產國內首創GSM基站的大功率射頻功率芯片

      • 2014
        • 專注LDMOS研發

        • 基于LDMOS的高性能射頻功率放大管研發

      • 2010
        • 華太成立

        • 進軍RF LDMOS

      榮譽獎項

      【獲獎】華太電子榮獲“2021-2022中國IGBT創新獎”

      2022年8月18日,由中國半導體行業協會、中國電子信息產業發展研究院等部門主辦的2022世界半導體大會隆重舉行。華太憑借多年在功率器件技術領域深耕多項技術指標達到國際領先,榮獲“2021-2022中國IGBT創新獎”。

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