華太電子功率芯片產品線掌握功率器件和模塊的核心設計、工藝及封裝技術。華太自主創新的Super IGBT技術，在提高開關速度的同時保持低通態壓降，多項技術指標國際領先。

650V，1200V 超級結技術，開關損耗低，芯片薄，工作頻率高； 混封半/全電流SiC SBD，更高開關頻率和效率； TO-247-3或TO-247P-3 標準封裝，TO-247-4L 封裝開爾文結構效率更優。

650V，1200V，1700V 接近于零的恢復損耗， 可實現高功率密度高效率； 采用MPS結構，具有優良的抗浪涌能力； 采用6''晶圓，交期6-8 周。

650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的開爾文結構封裝； 采用6''晶圓，成本更優； 適合于新能源汽車，充電樁，儲能DC/DC等應用。

650V 1200V IGBT 1200V SICMOS 低雜散電感，設計靈 活，用于光伏和工業電 源市場； 三電平,半橋,PIM拓撲； 電流10A-1000A。

650V 750V IGBT 1200V SICMOS 針對新能源汽車客戶的需求靈活訂制不同的車規產品； 單管、半橋和三相橋拓撲；電流300A-900A。