

IGBT
650V,1200V 超級結技術,開關損耗低,芯片薄,工作頻率高; 混封半/全電流SiC SBD,更高開關頻率和效率; TO-247-3或TO-247P-3 標準封裝,TO-247-4L 封裝開爾文結構效率更優。
產品型號
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BV[V]
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IC?@??100°max?[A]
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VCE(sat)[V]
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Eon[mJ]
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Eoff[mJ]
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td(on)[ns]
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tr[ns]
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td(off)[ns]
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tf[ns]
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Qg[nC]
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Package
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HKW40N120FHEA | 1200 | 40 | 1.67 | 2.3 | 1.4 | 89 | 61 | 344 | 139 | 307 | TO247-3L |
HKW40N120FHRA | 1200 | 40 | 1.65 | 1.55 | 1.4 | 90 | 60 | 362 | 100 | 306 | TO247-3L |
HKZ75N65SHRA | 650 | 75 | 1.58 | 1.64 | 0.95 | 23 | 28 | 128 | 100 | 100 | TO247-4L |
HKW75N65SHRA | 650 | 75 | 1.55 | 1.28 | 0.95 | 17 | 48 | 129 | 64 | 92 | TO247-3L |
HKZ75N65SHEA | 650 | 75 | 1.58 | 1.64 | 1 | 23 | 28 | 128 | 100 | 100 | TO247-4L |
HKW75N65SHEA | 650 | 75 | 1.55 | 1.67 | 0.99 | 14 | 22 | 145 | 71 | 92 | TO247-3L |