SiC MOSFET
650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的開爾文結構封裝； 采用6''晶圓，成本更優； 適合于新能源汽車，充電樁，儲能DC/DC等應用。
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產品型號
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標題
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VBRDSSmax?[V]
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RDS?(on)?Typ.
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ID??@25°Cmax?[A]
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VGS(th)Typ.（V）
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Package
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| HMZ080S120A | 1200 | 80mohm | 35 | 3 | TO-247-4L | |
| HMW080S120A | 1200 | 80mohm | 35 | 3 | TO-247-3L | |
| HMZ040S120A | 1200 | 40mohm | 55 | 3 | TO-247-4L | |
| HMW040S120A | 1200 | 40mohm | 55 | 3 | TO-247-3L | |
| HMW1KS170A | 1700 | 1ohm | 6.9 | 3 | TO-247-3L | |
| HMBF1KS170A | 1700 | 1ohm | 6.9 | 3 | TO-263-7L |
