HTN7G21S160H
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產品描述
LDMOS 射頻功率晶體管
優勢介紹
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為通信基站應用設計開發的寬帶射頻功率晶體管
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為適應 Doherty 類功放應用增強了負柵壓極限
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提供 VBW 改善外接引腳
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為適應預失真系統的優化設計
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方便功放設計的內匹配設計
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增強魯棒性設計
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優異的熱穩定性
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符合 RoHS 規范
